RN1114MFV,L3F, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VESM
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8064005468
- Артикул
- RN1114MFV,L3F
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.05
- Структура
- npn
- Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
- 100 mA
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
- 250
Цена по запросу
(от 97 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Структура | npn |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 250 |