Моя заявка (0)

RN1108MFV,L3F(T,Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm

RN1108MFV,L3F(T,Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046470935
Артикул
RN1108MFV,L3F(T
Бренд
Toshiba
Вес, г
0.001
No. of Pins
3 Pin
Power Dissipation
150mW
Структура
npn
Цена по запросу
(от 60 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.001
No. of Pins3 Pin
Power Dissipation150mW
Структураnpn
Transistor MountingSurface Mount
Transistor PolarityNPN
Transistor Case StyleSOT-723
Base Input Resistor R122kohm
DC Current Gain hFE Min80hFE
Base Emitter Resistor R247kohm
Operating Temperature Max150°C
Continuous Collector Current100mA
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50

Техническая документация