RN1104MFV,L3F(CT,Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046445219
- Артикул
- RN1104MFV,L3F(CT
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.002
- Subcategory:
- Transistors
- Manufacturer:
- Toshiba
Цена по запросу
(от 49 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.002 |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | VESM-3 |
| Product Type: | Digital Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | Digital Transistors |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity: | 8000 |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Typical Input Resistor: | 47 kOhms |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 10 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 80 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |