RN1102MFV,L3F(CT,Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046445218
- Артикул
- RN1102MFV,L3F(CT
- Бренд
- Toshiba
- Type
- NPN
- Mounting
- Surface Mount
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.002
Цена по запросу
(от 58 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150 МВт 3-контактный VESM T/R
Технические параметры
| Type | NPN |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.002 |
| PCB changed | 3 |
| Configuration | Single |
| Package Width | 0.8 |
| Package Length | 1.2 |
| Supplier Package | VESM |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | SOT |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
| Minimum DC Current Gain | 50@10mA@5V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150 |
| Typical Input Resistance (kOhm) | 10 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Maximum Continuous DC Collector Current (mA) | 0.1 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3@0.25mA@5mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |