RN1102MFV,L3F, Цифровые транзисторы, 50@10 мА, 5 В, 1 NPN - с предварительным смещением, 150 мВт, 100 мА, 50 В, цифровые транзисторы SOT-723
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017686076
- Артикул
- RN1102MFV,L3F
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Series:
- RN1102
- Вес, г
- 6.32
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 60 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Series: | RN1102 |
| Вес, г | 6.32 |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-723 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Typical Input Resistor: | 10 kOhms |
| Typical Resistor Ratio: | 1 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 10 V |
| Continuous Collector Current: | 100 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 30 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 8000 |