RN1102MFV,L3F, Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002190532
- Артикул
- RN1102MFV,L3F
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Series:
- RN1102
- Вес, г
- 1
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 49 ₽)
Минимальный заказ: 630 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Series: | RN1102 |
| Вес, г | 1 |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-723 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Typical Input Resistor: | 10 kOhms |
| Typical Resistor Ratio: | 1 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 10 V |
| Continuous Collector Current: | 100 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 30 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 8000 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |