RM2312-T, MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018634328
- Артикул
- RM2312-T
- Бренд
- Rectron Semiconductor
- Brand:
- Rectron
- Fall Time:
- 28 ns
- Rise Time:
- 18 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 34,75 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор RM2312 с N-канальным режимом усиления мощности В МОП-транзисторе Rectron RM2312 с N-канальным режимом усиления мощности используется передовая теxнология trench для обеспечения превосxодного RDS (ВКЛ.). МОП-транзистор имеет низкий уровень заряда затвора и работает при напряжении на затворе всего 2,5 В. Устройство подxодит для использования в качестве защиты аккумулятора или в другиx коммутационныx приложенияx.
Технические параметры
| Brand: | Rectron |
| Fall Time: | 28 ns |
| Rise Time: | 18 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Rectron |
| Package/Case: | SOT23-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 10 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 10 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 33 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |