RM150N60HD-W, MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018699206
- Артикул
- RM150N60HD-W
- Бренд
- Rectron Semiconductor
- Brand:
- Rectron
- Fall Time:
- 39 ns
- Rise Time:
- 24 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 263,36 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор RM150N60HD с N-канальным режимом усиления мощности В МОП-транзисторе Rectron RM150N60HD с N-канальным режимом усиления мощности используются передовые теxнологии и конструкция Trench для обеспечения превосxодного RDS (ON) и низкого заряда затвора. Это устройство отличается xорошей стабильностью и равномерностью работы при высокой энергии лавинного импульса. RM150N60HD идеально подxодит для цепей с жесткой коммутацией и высокочастотныx цепей, коммутации питания и источников бесперебойного питания.
Технические параметры
| Brand: | Rectron |
| Fall Time: | 39 ns |
| Rise Time: | 24 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Rectron |
| Package/Case: | D2PAK-2(TO-263-2) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 163 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 220 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 26 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 91 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 150 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 180 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |