RK7002BMT116, MOSFETs 2.5V Drive Nch MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006255702
- Артикул
- RK7002BMT116
- Бренд
- Rohm
- Type
- null
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.05
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 15,87 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 200/350мВт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type | null |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.05 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.3V @ 1mA |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 300mA |
| Maximum Continuous Drain Current | 250 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.4О© @ 250mA,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 200mW |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 250mA |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.5…1.1 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 2.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |