Моя заявка (0)

RJU003N03T106, 30V 300mA 200mW 1.1-@4.5V,300mA 1.5V@1mA N Channel SOT-323 MOSFETs

RJU003N03T106, 30V 300mA 200mW 1.1-@4.5V,300mA 1.5V@1mA N Channel SOT-323 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015789328
Артикул
RJU003N03T106
Бренд
Rohm
Type
N Channel
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±12V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 8,60 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

30 В 300 мА 200 МВт 1.1Ohm@4.5V,300 мА 1.5V@1mA N-канальные МОП-транзисторы SOT-323-3 соответствуют требованиям ROHS

Технические параметры

TypeN Channel
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±12V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.03
Корпусsot-323
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSC-70, SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
СтруктураN-Channel
Transistor PolarityN Channel
Operating Temperature150°C(TJ)
Power Dissipation (Pd)200mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.1Ohm @ 300mA, 4.5V
Особенности-
Power Dissipation (Max)200mW(Ta)
Supplier Device PackageUMT3
Vgs - Gate-Source Voltage1.5V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss@Vds)24pF@10V
Continuous Drain Current (Id)300mA
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Rds On - Drain-Source Resistance1.1О© @ 300mA,4.5V
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)200mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds24 pF @ 10 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C300mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300mA(Ta)
Пороговое напряжение на затворе1.5V@1mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.1Ω@4.5V, 300mA

Техническая документация