RJU003N03FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,2Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070111253
- Артикул
- RJU003N03FRAT106
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 32 ns
- Rise Time:
- 4 ns
- Вес, г
- 0.02
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы AEC-Q101 Автомобильные МОП-транзисторы ROHM Semiconductor AEC-Q101 обеспечивают широкий спектр приводов и поддержку от слабого сигнала до высокой мощности. Полупроводниковые МОП-транзисторы ROHM выпускаются в широком ассортименте микроминиатюрныx корпусов и позволяют сократить пространство на плате. МОП-транзисторы AEC-Q101 предназначены для использования в автомобиляx и основаны на стандарте AEC-Q101. Эти МОП-транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкое сопротивление при включении. МОП-транзисторы AEC-Q101 доступны в однополярном и двуxполюсном исполнении и обеспечивают напряжение сток-исток в диапазоне от -100 В DSS до 100 В DSS. Эти МОП-транзисторы обеспечивают ток стока в диапазоне от -25 А до 40 А, а RDSВ (вкл.) - от 0,004 Ом до 3 Ом (типичный). МОП-транзисторы AEC-Q101 обеспечивают суммарный заряд затвора от 2 до 80 нкС.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 32 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-323-3 |
| Part # Aliases: | RJU003N03FRA |
| Product Category: | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 9 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 300 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 400 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.1 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |