RJU002N06FRAT106, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015793992
- Артикул
- RJU002N06FRAT106
- Бренд
- Rohm
- Type
- null
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 90 ns
- Rise Time:
- 7 ns
Цена по запросу
(от 63,12 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
60 В 200 мА 200 МВт 2.3Ohm@200mA,4.5 В 1.5V@1mA нулевые МОП-транзисторы SOT-323-3 соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | null |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 90 ns |
| Rise Time: | 7 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | UMT-3 |
| Part # Aliases: | RJU002N06FRA |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 18pF@10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 200mA |
| Id - Continuous Drain Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.6 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.3Ω@200mA, 4.5V |