RJP020N06T100, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070050718
- Артикул
- RJP020N06T100
- Бренд
- Rohm
- Тип
- MOSFET
- Вес, г
- 0.1
- Длина
- 4.5 mm
- Серия
- RJP020N06
Цена по запросу
(от 200 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-CH 60V 2.5A
Технические параметры
| Тип | MOSFET |
| Вес, г | 0.1 |
| Длина | 4.5 mm |
| Серия | RJP020N06 |
| Высота | 1.5 mm |
| Ширина | 2.5 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 20 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel MOSFET |
| Qg - заряд затвора | 5 nC |
| Время нарастания | 18 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Другие названия товара № | RJP020N06 |
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 240 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |