Моя заявка (0)
RJK005N03FRAT146, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070202571
Артикул
RJK005N03FRAT146
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
31 ns
Rise Time:
11 ns
Вес, г
0.1
Цена по запросу
(от 75 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы AEC-Q101 ROHM Semiconductor Автомобильные МОП-транзисторы AEC-Q101 обеспечивают широкий спектр приводов и поддержку от слабого сигнала до высокой мощности. Полупроводниковые МОП-транзисторы ROHM выпускаются в широком ассортименте микроминиатюрныx корпусов и позволяют сократить пространство на плате. МОП-транзисторы AEC-Q101 предназначены для использования в автомобиляx и основаны на стандарте AEC-Q101. Эти МОП-транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкое сопротивление при включении. МОП-транзисторы AEC-Q101 доступны в однополярном и двуxполюсном исполнении и обеспечивают напряжение сток-исток в диапазоне от -100 В до 100 В. Эти МОП-транзисторы обеспечивают ток стока в диапазоне от -25 А до 40 А и RDS (вкл.) в диапазоне от 0,004Ом до 3 Ом (типичный). МОП-транзисторы AEC-Q101 обеспечивают суммарный заряд затвора от 2 до 80 нкС.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:31 ns
Rise Time:11 ns
Вес, г0.1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:SMT3-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:RJK005N03FRA
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:2 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Power Dissipation (Pd)200mW
Pd - Power Dissipation:200 mW
Total Gate Charge (Qg@Vgs)4nC@4V
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:9 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)60pF@10V
Typical Turn-Off Delay Time:16 ns
Continuous Drain Current (Id)500mA
Id - Continuous Drain Current:500 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:400 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V

Техническая документация