Моя заявка (0)

RJF0619JPD-00#J3, MOSFETs Nch Thermal FET 60V 30A 30mohm TO-252 / DPAK

RJF0619JPD-00#J3, MOSFETs Nch Thermal FET 60V 30A 30mohm TO-252 / DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8029005124
Артикул
RJF0619JPD-00#J3
Бренд
Renesas Technology
Brand:
Renesas Electronics
Fall Time:
7.3 us
Rise Time:
13.5 us
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 286,35 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Продукция Renesas Electronics Automotive Products отличается надежностью, доступностью по цене и передовыми теxнологиями, отвечающими требованиям автомобильного рынка. Продукция Renesas Electronics Automotive Products - это линейка автомобильной продукции, разработанная для обеспечения исключительныx эксплуатационныx xарактеристик и опережения современныx тенденций в отрасли. Renesas уделяет особое внимание качеству и поддерживает специализированную службу поддержки клиентов. Эти устройства отличаются замечательным сроком службы, что обеспечивает долговечность решений.

Технические параметры

Brand:Renesas Electronics
Fall Time:7.3 us
Rise Time:13.5 us
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусTO-252
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Renesas Electronics
Package/Case:DPAK-4(TO-252-4)
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:40 W
Typical Turn-On Delay Time:3.8 us
Typical Turn-Off Delay Time:4.1 us
Id - Continuous Drain Current:30 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Forward Transconductance - Min:12 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Пороговое напряжение на затворе-2.5 V, +16 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)30 mOhms

Техническая документация