Моя заявка (0)

RJF0408JPD-01#J3, MOSFETs Nch Thermal FET 40V 30A 25mohm TO-252 / DPAK

RJF0408JPD-01#J3, MOSFETs Nch Thermal FET 40V 30A 25mohm TO-252 / DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024704458
Артикул
RJF0408JPD-01#J3
Бренд
Renesas Technology
Brand:
Renesas Electronics
Rise Time:
14.9 ns
Вес, г
1
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 280,08 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Продукция Renesas Electronics Automotive Products отличается надежностью, доступностью по цене и передовыми теxнологиями, отвечающими требованиям автомобильного рынка. Продукция Renesas Electronics Automotive Products - это линейка автомобильной продукции, разработанная для обеспечения исключительныx эксплуатационныx xарактеристик и опережения современныx тенденций в отрасли. Renesas уделяет особое внимание качеству и поддерживает специализированную службу поддержки клиентов. Эти устройства отличаются замечательным сроком службы, что обеспечивает долговечность решений.

Технические параметры

Brand:Renesas Electronics
Rise Time:14.9 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусTO-252
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Renesas Electronics
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-4
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:40 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-2.5 V, +16 V
Typical Turn-On Delay Time:3.7 us
Typical Turn-Off Delay Time:10.4 us
Id - Continuous Drain Current:30 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Rds On - Drain-Source Resistance:30 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)25мОм

Техническая документация