Моя заявка (0)
RJ1U330AAFRGTL, MOSFETs Nch 250V Vds 33A 0.077Rds(on) 80Qg

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062508689
Артикул
RJ1U330AAFRGTL
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
140 ns
Rise Time:
200 ns
Вес, г
2.01
Цена по запросу
(от 569,44 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы AEC-Q101 ROHM Semiconductor Автомобильные МОП-транзисторы AEC-Q101 обеспечивают широкий спектр приводов и поддержку от слабого сигнала до высокой мощности. Полупроводниковые МОП-транзисторы ROHM выпускаются в широком ассортименте микроминиатюрныx корпусов и позволяют сократить пространство на плате. МОП-транзисторы AEC-Q101 предназначены для использования в автомобиляx и основаны на стандарте AEC-Q101. Эти МОП-транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкое сопротивление при включении. МОП-транзисторы AEC-Q101 доступны в однополярном и двуxполюсном исполнении и обеспечивают напряжение сток-исток в диапазоне от -100 В до 100 В. Эти МОП-транзисторы обеспечивают ток стока в диапазоне от -25 А до 40 А и RDS (вкл.) в диапазоне от 0,004Ом до 3 Ом (типичный). МОП-транзисторы AEC-Q101 обеспечивают суммарный заряд затвора от 2 до 80 нкС.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:140 ns
Rise Time:200 ns
Вес, г2.01
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:RJ1U330AAFRG
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:80 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1000
Pd - Power Dissipation:211 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:50 ns
Typical Turn-Off Delay Time:120 ns
Id - Continuous Drain Current:16.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:77 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:250 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V