RJ1P12BBDTLL, MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 120A(Id), (6.0V Drive)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070098115
- Артикул
- RJ1P12BBDTLL
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 3.96
- Channel Type
- N Channel
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Power Dissipation
- 178Вт
Цена по запросу
(от 591,94 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 100V N-CH 120A POWER
Технические параметры
| Вес, г | 3.96 |
| Channel Type | N Channel |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Power Dissipation | 178Вт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 54 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 80 nC |
| Время нарастания | 33 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.0044Ом |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 120А |
| Рассеиваемая Мощность | 178Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Pd - рассеивание мощности | 178 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263AB |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 125 ns |
| Типичное время задержки при включении | 37 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0044Ом |