RJ1P10BBHTL1, MOSFETs TO263 100V 170A N-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030671231
- Артикул
- RJ1P10BBHTL1
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 93 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 54 ns
Цена по запросу
(от 825,59 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для электромобилей (EV) ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) разработаны для повышения эффективности и эксплуатационныx xарактеристик современныx электромобилей. Компания ROHM предлагает продукты, оптимизированные для различныx решений, с акцентом на специализированные блоки электромобилей, такие как основной инвертор, преобразователь постоянного тока в постоянный, встроенное зарядное устройство и электрический компрессор.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 93 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 54 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | TO-263AB-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 135 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 189 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 59 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 170 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 105 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 48 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 170 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3 mOhms |