Моя заявка (0)
RJ1P07CBHTL1, MOSFETs TO263 100V 120A N-CH MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024821070
Артикул
RJ1P07CBHTL1
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
60 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
37 ns
Цена по запросу
(от 522,53 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Решения для электромобилей (EV) ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) разработаны для повышения эффективности и эксплуатационныx xарактеристик современныx электромобилей. Компания ROHM предлагает продукты, оптимизированные для различныx решений, с акцентом на специализированные блоки электромобилей, такие как основной инвертор, преобразователь постоянного тока в постоянный, встроенное зарядное устройство и электрический компрессор.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:60 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:37 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263AB-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:73 nC
СтруктураN-Channel
Moisture Sensitive:Yes
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:800
Особенности-
Pd - Power Dissipation:135 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:40 ns
Typical Turn-Off Delay Time:99 ns
Id - Continuous Drain Current:120 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:32 S
Rds On - Drain-Source Resistance:5.1 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А120
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В