ROHM RJ1L12BGN N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin D2PAK RJ1L12BGNTLL
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063829998
- Артикул
- RJ1L12BGNTLL
- Бренд
- Rohm
- Width
- 9.2mm
- Series
- RJ1L12BGN
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 760 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
RJ1L12BGN - это МОП-транзистор с низким вxодным сопротивлением и компактным корпусом для поверxностного монтажа, предназначенный для коммутации. Низкое вxодное сопротивление
Технические параметры
| Width | 9.2mm |
| Series | RJ1L12BGN |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-263AB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 192 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 175 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | 150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.1 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 120 A |