Моя заявка (0)

RJ1L10BBGTL1,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 105 A, 1850 µohm, TO-263AB, Surface Mount

RJ1L10BBGTL1,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 105 A, 1850 µohm, TO-263AB, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8059376930
Артикул
RJ1L10BBGTL1
Бренд
Rohm
Вес, г
1.5
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-263
Цена по запросу
(от 926 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г1.5
No. of Pins3Pins
Channel TypeN Channel
КорпусTO-263
СтруктураN-Channel
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleTO-263AB
Особенности-
Drain Source Voltage Vds60V
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id105A
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А105
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт192W
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1850µohm

Техническая документация