RJ1G12BGNTLL, MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 120A(Id), (4.5V Drive)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062081476
- Артикул
- RJ1G12BGNTLL
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 3.96
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 606,20 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 40V N-CHANNEL 120A
Технические параметры
| Вес, г | 3.96 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 130 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 165 nC |
| Время нарастания | 33 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 178 W |
| Другие названия товара № | RJ1G12BGN |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.86 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 230 ns |
| Типичное время задержки при включении | 40 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |