RHK003N06T146, 60V 300mA 700m-@10V,300mA 200mW 2.5V@1mA 9pF@10V N Channel 33pF@10V 3nC@10V +150-@(Tj) SOT-346-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015786158
- Артикул
- RHK003N06T146
- Бренд
- Rohm
- Type
- N Channel
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Product:
- MOSFET Small Signals
Цена по запросу
(от 30,75 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
60 В 300 мА 700 Мом при 10 В, 300 мА 200 МВт 2.5V@1mA N-канальные МОП-транзисторы TO-236-3(SOT-23-3) СООТВЕТСТВУЮТ требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Type: | MOSFET |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Fall Time: | 80 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | SOT-346-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | RHK003N06 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 400pC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 25pF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 250mA |
| Id - Continuous Drain Current: | 300 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2pF@25V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.8Ω@10V, 200mA |