Моя заявка (0)
RH6L040BGTB1, MOSFETs HSMT8 N-CH 60V 65A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018644950
Артикул
RH6L040BGTB1
Бренд
Rohm
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 238,08 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 60 В 40 А (Tc) 59 Вт (Tc) для поверxностного монтажа 8-HSMT (3.2x3)

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.1mOhm @ 40A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)59W(Tc)
Supplier Device Package8-HSMT(3.2x3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1320 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация