Моя заявка (0)

RH6G040BGTB1,Power MOSFET, N Channel, 40 V, 95 A, 0.0028 ohm, HSMT, Surface Mount

RH6G040BGTB1,Power MOSFET, N Channel, 40 V, 95 A, 0.0028 ohm, HSMT, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046383085
Артикул
RH6G040BGTB1
Бренд
Rohm
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
0.318
Цена по запросу
(от 450 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Rohms предлагает силовые МОП-транзисторы серии RH с низким сопротивлением и пригодные для коммутации. Они не содержат галогенов, имеют 100% Rg и протестированы UIS при вxодном напряжении 40 В.

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.318
Channel TypeN
Package TypeHSMT8
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.6mOhm @ 40A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)59W(Tc)
Supplier Device Package8-HSMT(3.2x3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V
Maximum Drain Source Voltage40 V
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Maximum Continuous Drain Current95 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1580 pF @ 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A(Tc)
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А95
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0028 Ом

Техническая документация