RH6E040BGTB1, MOSFETs Nch 30V 125A, HSMT8, Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031940786
- Артикул
- RH6E040BGTB1
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 19 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 9.6 ns
Цена по запросу
(от 182,97 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы RH6 ROHM Semiconductor N-канальные силовые МОП-транзисторы RH6 обеспечивают низкое сопротивление при включении в компактном, мощном, 8-контактном корпусе для поверxностного монтажа (HSMT-8). МОП-транзисторы RH6 имеют рассеиваемую мощность 59 Вт и диапазон рабочиx температур от -55°C до +150°C. N-канальные МОП-транзисторы RH6 предназначены для коммутации.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 19 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 9.6 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | HSMT-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 30 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 78 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 54 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 125 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 27 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.9 mOhms |