RGW80TK65DGVC11, IGBTs 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8064125136
- Артикул
- RGW80TK65DGVC11
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 7
- Упаковка
- Tube
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- Through Hole
Цена по запросу
(от 925 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Технические параметры
| Вес, г | 7 |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-3PFM |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Pd - рассеивание мощности | 81 W |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 39 A |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 39 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |