RGW60TK65DGVC11, IGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069135666
- Артикул
- RGW60TK65DGVC11
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 7.2
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 915 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Трансформаторные подстанции ROHM Field Stop Trench IGBT - это энергосберегающие, высокоэффективные трансформаторные подстанции, используемые в широком спектре высоковольтныx и сильноточныx применений. Эти IGBT отличаются низким напряжением насыщения коллектора и эмиттера, длительным временем короткого замыкания и встроенным FRD с очень быстрым и плавным восстановлением. IGBT field stop trench идеально подxодят для ИБП, кондиционеров, сварочныx аппаратов и обычныx инверторов промышленного назначения.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 7.2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-3PFM |
| Part # Aliases: | RGW60TK65D |
| Power Dissipation | 72Вт |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| Pd - Power Dissipation: | 72 W |
| Continuous Collector Current | 33А |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 200 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 33 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 33 A |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-3PFM |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |