RGW00TK65GVC11, IGBT, 45 A, 1.5 V, 89 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pins
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001584079
- Артикул
- RGW00TK65GVC11
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 6.346
- Упаковка
- Tube
- Power Dissipation
- 89Вт
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 1 320 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Технические параметры
| Вес, г | 6.346 |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 89Вт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-3PFM |
| Continuous Collector Current | 45А |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
| Pd - рассеивание мощности | 89 W |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-3PFM |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 45 A |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 45 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |