Моя заявка (0)
RGTH80TK65GC11, IGBT Trench Field Stop 650 V 31 A 66 W Through Hole TO-3PFM

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8064125121
Артикул
RGTH80TK65GC11
Бренд
Rohm
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Package
Tube
IGBT Type
Trench Field Stop
Цена по запросу
(от 407 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
PackageTube
IGBT TypeTrench Field Stop
Input TypeStandard
Вес, г7
Gate Charge79nC
Power - Max66W
RoHS StatusROHS3 Compliant
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-3PFM, SC-93-3
Test Condition400V, 40A, 10Ohm, 15V
УпаковкаTube
Power Dissipation66Вт
Base Product NumberRGTH80 ->
ТехнологияSi
Operating Temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Td (on/off) @ 25В°C34ns/120ns
Вид монтажаThrough Hole
Supplier Device PackageTO-3PFM
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 40A
Тип продуктаIGBT Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияIGBTs
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокTO-3PFM
Continuous Collector Current31А
Collector Emitter Voltage Max650В
Current - Collector (Ic) (Max)31A
Current - Collector Pulsed (Icm)160A
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Collector Emitter Saturation Voltage1.6В
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650V
Pd - рассеивание мощности66 W
Другие названия товара №RGTH80TK65
Ток утечки затвор-эмиттер200 nA
Размер фабричной упаковки30
Стиль Корпуса ТранзистораTO-3PFM
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Непрерывный коллекторный ток при 25 C31 A
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.650 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.6 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация