Моя заявка (0)

RGTH80TK65DGC11, IGBTs High-Speed Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT

RGTH80TK65DGC11, IGBTs High-Speed Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8064125132
Артикул
RGTH80TK65DGC11
Бренд
Rohm
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Package
Tube
IGBT Type
Trench Field Stop
Цена по запросу
(от 897 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
PackageTube
IGBT TypeTrench Field Stop
Input TypeStandard
Вес, г7
Gate Charge79nC
Power - Max66W
RoHS StatusROHS3 Compliant
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-3PFM, SC-93-3
Test Condition400V, 40A, 10Ohm, 15V
УпаковкаTube
Base Product NumberRGTH80 ->
ТехнологияSi
Operating Temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Td (on/off) @ 25В°C34ns/120ns
Вид монтажаThrough Hole
Supplier Device PackageTO-3PFM
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 40A
Тип продуктаIGBT Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияIGBTs
Reverse Recovery Time (trr)58ns
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокTO-3PFM
Current - Collector (Ic) (Max)31A
Current - Collector Pulsed (Icm)160A
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650V
Pd - рассеивание мощности66 W
Другие названия товара №RGTH80TK65D
Ток утечки затвор-эмиттер200 nA
Размер фабричной упаковки30
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Непрерывный коллекторный ток при 25 C31 A
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.650 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.6 V

Техническая документация