RGTH60TS65DGC11, IGBT Trench Field Stop 650 V 58 A 194 W Through Hole TO-247N
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8064052907
- Артикул
- RGTH60TS65DGC11
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 7
- Серия
- RGTH60TS65
- Упаковка
- Tube
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 564 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A IGBT Stop Trench
Технические параметры
| Вес, г | 7 |
| Серия | RGTH60TS65 |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Pd - рассеивание мощности | 194 W |
| Другие названия товара № | RGTH60TS65D |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 200 nA |
| Размер фабричной упаковки | 450 |
| Диапазон рабочих температур | 40 C to + 175 C |
| Непрерывный коллекторный ток | 30 A |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 58 A |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 58 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |