RGTH50TK65DGC11, IGBTs High-Speed Switching Type, 650V 25A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069751797
- Артикул
- RGTH50TK65DGC11
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 7
- Упаковка
- Tube
- Power Dissipation
- 59Вт
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 804 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
Технические параметры
| Вес, г | 7 |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 59Вт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-3PFM |
| Continuous Collector Current | 26А |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
| Pd - рассеивание мощности | 59 W |
| Другие названия товара № | RGTH50TK65D |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-3PFM |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 26 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |