RGTH00TS65GC11, IGBTs 650V 50A IGBT Stop Trench
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004638639
- Артикул
- RGTH00TS65GC11
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 38
- Серия:
- RGTH00TS65
- Упаковка:
- Tube
- Технология:
- Si
Цена по запросу
(от 618 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A IGBT Stop Trench
Технические параметры
| Вес, г | 38 |
| Серия: | RGTH00TS65 |
| Упаковка: | Tube |
| Технология: | Si |
| Вид монтажа: | Through Hole |
| Тип продукта: | IGBT Transistors |
| Подкатегория: | IGBTs |
| Производитель: | ROHM Semiconductor |
| Торговая марка: | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок: | TO-247-3 |
| Pd - рассеивание мощности: | 277 W |
| Другие названия товара №: | RGTH00TS65 |
| Ток утечки затвор-эмиттер: | +/- 200 nA |
| Размер фабричной упаковки: | 450 |
| Диапазон рабочих температур: | - 40 C to + 175 C |
| Непрерывный коллекторный ток: | 50 A |
| Минимальная рабочая температура: | - 40 C |
| Максимальная рабочая температура: | + 175 C |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: | 85 A |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C: | 85 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 650 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер: | 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 1.6 V |