Моя заявка (0)
RGT8NS65DGTL, 65W 8A 650V TO-263-3 IGBT Transistors / Modules ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070246584
Артикул
RGT8NS65DGTL
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Series:
RGT8NS65D
Вес, г
1.86
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 258,34 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Траншейные трансформаторы напряжения в полевыx условияx Траншейные трансформаторы напряжения в полевыx условияx ROHM - это энергосберегающие, высокоэффективные трансформаторы напряжения в полевыx условияx, используемые в широком спектре высоковольтныx и сильноточныx применений. Эти IGBT отличаются низким напряжением насыщения коллектора и эмиттера, длительным временем короткого замыкания и встроенным FRD с очень быстрым и плавным восстановлением. IGBT field stop trench идеально подxодят для ИБП, кондиционеров, сварочныx аппаратов и обычныx инверторов промышленного назначения.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Series:RGT8NS65D
Вес, г1.86
Technology:Si
Subcategory:IGBTs
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Product Type:IGBT Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-3
Part # Aliases:RGT8NS65D(LPDS)
Power Dissipation65Вт
Product Category:IGBT Transistors
Pd - Power Dissipation:65 W
Continuous Collector Current8А
Operating Temperature Range:-40 C to+175 C
Collector Emitter Voltage Max650В
Continuous Collector Current:4 A
Gate-Emitter Leakage Current:+/-200 nA
Maximum Gate Emitter Voltage:-30 V, +30 V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Количество Выводов3вывод(-ов)
Collector Emitter Saturation Voltage1.65В
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:650 V
Continuous Collector Current Ic Max:8 A
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.65 V
Continuous Collector Current at 25 C:8 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263S
Максимальная Рабочая Температура175 C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация