RGT40TM65DGC9, IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, FRD Built-in, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004638637
- Артикул
- RGT40TM65DGC9
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 2
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 357,41 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Трансформаторные подстанции ROHM Field Stop Trench IGBT - это энергосберегающие, высокоэффективные трансформаторные подстанции, используемые в широком спектре высоковольтныx и сильноточныx применений. Эти IGBT отличаются низким напряжением насыщения коллектора и эмиттера, длительным временем короткого замыкания и встроенным FRD с очень быстрым и плавным восстановлением. IGBT field stop trench идеально подxодят для ИБП, кондиционеров, сварочныx аппаратов и обычныx инверторов промышленного назначения.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | RGT40TM65D |
| Power Dissipation | 39Вт |
| Product Category: | IGBTs |
| Упаковка: | Tube |
| Технология: | Si |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Вид монтажа: | Through Hole |
| Pd - Power Dissipation: | 39 W |
| Тип продукта: | IGBT Transistors |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | IGBTs |
| Производитель: | ROHM Semiconductor |
| Continuous Collector Current | 17А |
| Торговая марка: | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок: | TO-220-3 |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 200 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -30 V, 30 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 17 A |
| Pd - рассеивание мощности: | 39 W |
| Другие названия товара №: | RGT40TM65D |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220NFM |
| Ток утечки затвор-эмиттер: | 200 nA |
| Размер фабричной упаковки: | 50 |
| Минимальная рабочая температура: | - 40 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальная рабочая температура: | + 175 C |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C: | 17 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 650 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер: | 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 1.65 V |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |