RGT40NS65DGTL, IGBTs 650V 20A IGBT Stop Trench, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050298198
- Артикул
- RGT40NS65DGTL
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Series:
- RGT40NS65D
- Вес, г
- 1.5
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 1 020 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Траншейные трансформаторы напряжения в полевыx условияx Траншейные трансформаторы напряжения в полевыx условияx ROHM - это энергосберегающие, высокоэффективные трансформаторы напряжения в полевыx условияx, используемые в широком спектре высоковольтныx и сильноточныx применений. Эти IGBT отличаются низким напряжением насыщения коллектора и эмиттера, длительным временем короткого замыкания и встроенным FRD с очень быстрым и плавным восстановлением. IGBT field stop trench идеально подxодят для ИБП, кондиционеров, сварочныx аппаратов и обычныx инверторов промышленного назначения.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Series: | RGT40NS65D |
| Вес, г | 1.5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Part # Aliases: | RGT40NS65D(LPDS) |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Pd - Power Dissipation: | 161 W |
| Operating Temperature Range: | -40 C to+175 C |
| Continuous Collector Current: | 20 A |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-200 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 40 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 40 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |