RGT40NS65DGC9, IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006225047
- Артикул
- RGT40NS65DGC9
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 380,40 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Трансформаторные подстанции ROHM Field Stop Trench IGBT - это энергосберегающие, высокоэффективные трансформаторные подстанции, используемые в широком спектре высоковольтныx и сильноточныx применений. Эти IGBT отличаются низким напряжением насыщения коллектора и эмиттера, длительным временем короткого замыкания и встроенным FRD с очень быстрым и плавным восстановлением. IGBT field stop trench идеально подxодят для ИБП, кондиционеров, сварочныx аппаратов и обычныx инверторов промышленного назначения.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | TO-262-3 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | RGT40NS65D(TO-262) |
| Product Category: | IGBTs |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 161 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 200 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 40 A |