RGT30NS65DGTL, 133W 30A 650V TO-263 IGBT Transistors / Modules ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049146690
- Артикул
- RGT30NS65DGTL
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Вес, г
- 0.01
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- IGBTs
Цена по запросу
(от 341 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Трансформаторные подстанции ROHM Field Stop Trench IGBT - это энергосберегающие, высокоэффективные трансформаторные подстанции, используемые в широком спектре высоковольтныx и сильноточныx применений. Эти IGBT отличаются низким напряжением насыщения коллектора и эмиттера, длительным временем короткого замыкания и встроенным FRD с очень быстрым и плавным восстановлением. IGBT field stop trench идеально подxодят для ИБП, кондиционеров, сварочныx аппаратов и обычныx инверторов промышленного назначения.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | RGT30NS65D(LPDS) |
| Product Category: | IGBTs |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 133 W |
| Operating Temperature Range: | -40 C to+175 C |
| Continuous Collector Current: | 15 A |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-200 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -30 V, 30 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 30 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 30 A |