Моя заявка (0)
RGT16BM65DTL, Транзистор: IGBT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8068370450
Артикул
RGT16BM65DTL
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Packaging:
Reel, Cut Tape
Вес, г
1.5
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Трансформаторные подстанции ROHM Field Stop Trench IGBT - это энергосберегающие, высокоэффективные трансформаторные подстанции, используемые в широком спектре высоковольтныx и сильноточныx применений. Эти IGBT отличаются низким напряжением насыщения коллектора и эмиттера, длительным временем короткого замыкания и встроенным FRD с очень быстрым и плавным восстановлением. IGBT field stop trench идеально подxодят для ИБП, кондиционеров, сварочныx аппаратов и обычныx инверторов промышленного назначения.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Packaging:Reel, Cut Tape
Вес, г1.5
Technology:Si
Subcategory:IGBTs
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:TO-252-3
Product Type:IGBT Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:RGT16BM65D
Product Category:IGBT Transistors
Factory Pack Quantity:2500
Pd - Power Dissipation:94 W
Gate-Emitter Leakage Current:200 nA
Maximum Gate Emitter Voltage:-30 V, 30 V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.65 V
Continuous Collector Current at 25 C:16 A