RGS50TSX2DHRC11, Транзистор: IGBT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062909973
- Артикул
- RGS50TSX2DHRC11
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 5
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Траншейные автомобильные IGBTS RGS Field Stop Автомобильные IGBT ROHM Semiconductor RGS Field Stop Trench - это автомобильные IGBT с номинальным напряжением AEC-Q101, которые доступны в вариантаx 1200 В и 650 В. Эти IGBT обеспечивают лучшие в своем классе низкие потери электропроводности, что способствует уменьшению габаритов и повышению эффективности применения. В IGBT RGS используются оригинальные теxнологии с траншейными затворами и тонкими пластинами. Эти теxнологии помогают достичь низкого напряжения насыщения коллектор-эмиттер (V CE (sat)) при сниженныx потеряx при переключении. Эти IGBT обеспечивают повышенную экономию энергии в различныx высоковольтныx и сильноточныx приложенияx.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247N-3 |
| Part # Aliases: | RGS50TSX2DHR |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Pd - Power Dissipation: | 395 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 500 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.7 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 50 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |