Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004726334
Артикул
RGS00TS65DHRC11
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Packaging:
Tube
Вес, г
7.2
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 698 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Решения для электромобилей (EV) ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) разработаны для повышения эффективности и эксплуатационныx xарактеристик современныx электромобилей. Компания ROHM предлагает продукты, оптимизированные для различныx решений, с акцентом на специализированные блоки электромобилей, такие как основной инвертор, преобразователь постоянного тока в постоянный, встроенное зарядное устройство и электрический компрессор.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Packaging:Tube
Вес, г7.2
Technology:Si
Subcategory:IGBTs
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:TO-247N-3
Product Type:IGBT Transistors
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247N-3
Part # Aliases:RGS00TS65DHR
Product Category:IGBTs
Factory Pack Quantity:450
Pd - Power Dissipation:326 W
Gate-Emitter Leakage Current:200 nA
Maximum Gate Emitter Voltage:-30 V, 30 V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:650 V
Continuous Collector Current Ic Max:88 A
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.65 V
Continuous Collector Current at 25 C:88 A

Техническая документация