RGCL80TK60DGC11, IGBTs Low VCE(sat) Type, 600V 40A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062591172
- Артикул
- RGCL80TK60DGC11
- Бренд
- Rohm
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Package
- Tube
- IGBT Type
- Trench Field Stop
Цена по запросу
(от 692 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Package | Tube |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Вес, г | 8.73 |
| Gate Charge | 98nC |
| Power - Max | 57W |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Test Condition | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Switching Energy | 1.11mJ (on), 1.68mJ (off) |
| Упаковка | Tube |
| Base Product Number | RGCL80 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Td (on/off) @ 25В°C | 53ns/227ns |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-3PFM |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 40A |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Reverse Recovery Time (trr) | 58ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-3PFM |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Pd - рассеивание мощности | 57 W |
| Другие названия товара № | RGCL80TK60D |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 35 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.4 V |