RFP70N06,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 70 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8206052437
- Артикул
- RFP70N06
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Width
- 4.83mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- RDS-on
- 14@10V mOhm
Цена по запросу
(от 398 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые транзисторы (FET) в режиме усиления производятся с использованием запатентованной компанией Fairchild теxнологии DMOS с высокой плотностью ячеек.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Width | 4.83mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| RDS-on | 14@10V mOhm |
| Series: | RFP70N06 |
| Mounting | Through Hole |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 24 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 137 ns |
| Вес, г | 2.041 |
| Длина | 10.67мм |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Высота | 9.4мм |
| Корпус | TO-220AB |
| Ширина | 4.83мм |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Размеры | 10.67 x 4.83 x 9.4мм |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Part # Aliases: | RFP70N06_NL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 156 nC |
| Typical Fall Time | 24 ns |
| Typical Rise Time | 137 ns |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Структура | N-Channel |
| Max Processing Temp | 260 |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Тип канала | N |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55 to 175 °C |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Номер канала | Поднятие |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 120 nC @ 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 32 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 32 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Число контактов | 3 |
| Id - Continuous Drain Current: | 70 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 14 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 70 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 14 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Материал транзистора | Кремний |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 120 нКл при 20 В |
| Типичная входная емкость при Vds | 2250 пФ при 25 В |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное рассеяние мощности | 150 Вт |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Типичное время задержки включения | 10 нс |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимальный непрерывный ток стока | 70 A |
| Типичное время задержки выключения | 32 нс |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 14 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 70 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.014 Ом |