RFP12N10L, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 12А, 60Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008515425
- Артикул
- RFP12N10L
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4.83mm
- Вид
- N-MOSFET
- Тип
- MOSFET
- Pin Count
- 3
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой RFP12N10L от ONSEMI представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, идеально подходящий для разнообразных применений благодаря своим THT монтажным характеристикам. Данный транзистор способен обеспечить ток стока до 12 А и выдерживать напряжение сток-исток до 100 В, что делает его надежным выбором для устройств с высокими рабочими напряжениями. Мощность транзистора составляет 60 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,2 Ом, обеспечивает эффективную работу и минимальные потери. Транзистор упакован в прочный корпус TO220AB, который гарантирует долговечность и устойчивость к тепловым нагрузкам. Ищете надежный компонент для вашего проекта? Модель RFP12N10L станет отличным выбором. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 12 Напряжение сток-исток, В 100 Мощность, Вт 60 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.2 Корпус TO220AB
Технические параметры
| Width | 4.83mm |
| Вид | N-MOSFET |
| Тип | MOSFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2.04 |
| Длина | 10.67мм |
| Серия | RFP12N10L |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Высота | 9.4мм |
| Корпус | TO220AB |
| Монтаж | THT |
| Ширина | 4.83мм |
| Mounting Type | Through Hole |
| Размеры | 10.67 x 4.83 x 9.4мм |
| Упаковка | Tube |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Тип канала | N |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 80 ns |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ток стока, А | 12 |
| Мощность, Вт | 60 |
| Особенности | - |
| Номер канала | Поднятие |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 60 W |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Число контактов | 3 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 200 mΩ |
| Время нарастания | 70 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Материал транзистора | Кремний |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 60 W |
| Напряжение сток-исток, В | 100 |
| Другие названия товара № | RFP12N10L_NL |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Типичная входная емкость при Vds | 900 пФ при 25 В |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное рассеяние мощности | 60 Вт |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Типичное время задержки включения | 15 нс |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимальный непрерывный ток стока | 12 A |
| Типичное время задержки выключения | 100 нс |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -10 V, +10 V |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 200 мОм |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.2 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |