RFD8P06ESM-VB, 60V 30A 61.1m-@10V,5A 34W 2V@250uA 100pF@25V P Channel 1nF@25V 10nC@10V -55-~+175-@(Tj) TO-252-2 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015845879
- Артикул
- RFD8P06ESM-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Type
- P Channel
- Вес, г
- 0.49
- Корпус
- TO-252
- Структура
- P-Channel
Цена по запросу
(от 98 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
60 В 30 А 61.1mOhm@10V,5A 34 Вт 2 В при 250uA P-канал TO-252-2 МОП-транзистора ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.49 |
| Корпус | TO-252 |
| Структура | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 34W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 10nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 30A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 100pF@25V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 34 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 61.1mΩ@10V, 5A |