RFD16N06LESM9A, MOSFETs 60V Single
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005443039
- Артикул
- RFD16N06LESM9A
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Width
- 6.22mm
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 227,06 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые транзисторы (FET) в режиме усиления производятся с использованием запатентованной компанией Fairchild теxнологии DMOS с высокой плотностью ячеек.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Width | 6.22mm |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Typical Fall Time (ns) | 35 |
| Typical Rise Time (ns) | 60 |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 90 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +10 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 90000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 51 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 51@10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 47 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 10 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 |
| Maximum Continuous Drain Current | 16 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 48 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 16 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1350@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 47@5V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 10000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |