RFD12N06RLESM9A,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8396766151
- Артикул
- RFD12N06RLESM9A
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 6.22mm
- Series
- UltraFET
- Тип
- MOSFET
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 203 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 60V Single
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Series | UltraFET |
| Тип | MOSFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.11 |
| Длина | 6.73 mm |
| Серия | RFD12N06RLESM |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Высота | 2.39 mm |
| Корпус | TO-252 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 37 ns, 50 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 49 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 75 mΩ |
| Время нарастания | 89 ns, 34 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 49 W |
| Другие названия товара № | RFD12N06RLESM9A_NL |
| Id - непрерывный ток утечки | 17 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 75 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 22 ns, 41 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns, 5.3 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 49 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.07 Ом |