RF6G035BGTCR,Power MOSFET, N Channel, 40 V, 3.5 A, 0.046 ohm, SOT-363T, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара: 8046405311
Артикул: RF6G035BGTCR
Бренд: Rohm
Brand:: ROHM Semiconductor
Fall Time:: 2.7 ns
Packaging:: Reel, Cut Tape
Rise Time:: 4.4 ns

Цена по запросу

(от 76 ₽)

Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Решения для электромобилей (EV) ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) разработаны для повышения эффективности и эксплуатационныx xарактеристик современныx электромобилей. Компания ROHM предлагает продукты, оптимизированные для различныx решений, с акцентом на специализированные блоки электромобилей, такие как основной инвертор, преобразователь постоянного тока в постоянный, встроенное зарядное устройство и электрический компрессор.

Технические параметры

Brand:	ROHM Semiconductor
Fall Time:	2.7 ns
Packaging:	Reel, Cut Tape
Rise Time:	4.4 ns
Вес, г	0.007
Technology:	Si
Subcategory:	Transistors
Корпус	SOT-363
Channel Mode:	Enhancement
Manufacturer:	ROHM Semiconductor
Package/Case:	SOT-363T-6
Product Type:	MOSFETs
Configuration:	Single
Mounting Style:	SMD/SMT
Product Category:	MOSFETs
Qg - Gate Charge:	3.5 nC
Структура	N-Channel
Number of Channels:	1 Channel
Transistor Polarity:	N-Channel
Factory Pack Quantity:	3000
Особенности	-
Pd - Power Dissipation:	1 W
Typical Turn-On Delay Time:	5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:	11 ns
Id - Continuous Drain Current:	3.5 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	3.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.046 Ом